하이닉스, 세계 최고속 모바일 D램 개발

하이닉스반도체가 오류 검출과 정정 기능을 하는 ECC회로를 적용한 초고속 모바일 D램을 개발했습니다.

이 제품은 동작시 오류 검출과 정정기능을 자체적으로 구현하면서도 업계 최고 수준인 최대 185MHz로 동작하며

소비전력을 절반 수준으로 대폭 줄인 것이 특징입니다.

하이닉스는 "이번 제품으로 D램 시장에서 차별화된 경쟁력을 가질 전망"이라며

"올 하반기 양산을 시작해 '낸드 멀티칩 패키지'와 '패키지 온 패키지'에도 사용하는 등 제품군을 더욱 다양화하겠다"고 덧붙였습니다.

한정연기자 jyhan@wowtv.co.kr