선폭이 5 나노미터(nm) 이하의 실리콘 나노선과 기존의 메모리 소자 기술을 결합시켜 성능과 집적도를 크게 향상시킨 비휘발성 메모리 소자가 한미 공동연구진에 의해 개발됐습니다. 구상모 광운대 교수는 미 국립표준연구원 연구진과 함께 5나노미터 (nm) 실리콘 나노선을 결합시킨 하이브리드 구조의 비휘발성 메모리 소자를 개발했다고 밝혔습니다. 연사숙기자 sa-sook@wowtv.co.kr