삼성전자가 미국 오스틴에서 300mm(12인치) 반도체 라인을 준공하고 하반기 중 50나노 16기가 낸드 플래시 양산을 시작할 예정이다.

삼성전자는 14일(현지시간) 미국 텍사스주 오스틴에 있는 반도체 생산단지에서 300mm웨이퍼 생산라인인 제2라인의 준공을 기념하는 행사를 가졌다고 15일 밝혔다.

이번에 완공된 제2라인은 삼성전자가 1997년부터 가동하고 있는 기존 200mm(8인치) 라인에 이어 미국에서 두 번째 반도체 생산 시설이며, 해외 첫 300mm 반도체 생산라인이다.

삼성전자는 신규라인에 내년까지 총 35억달러를 투자할 계획이며, 초기 월 2만대 규모에서 생산규모를 점차 늘려갈 예정이다.

이에 따라 삼성전자는 기존 200mm 1라인이 D램 생산에 주력하고, 신규 300mm라인은 50나노급 이하의 낸드 플리시 등 차세대 메모리 생산을 강화한다는 계획이다.

회사측은 "이번 생산라인 준공으로 세계 최대 IT 시장인 미주지역에서 적극적으로 대응할수 있는 토대를 마련하게 됐다"고 밝혔다.

한경닷컴 안재광 기자 ahnjk@hankyung.com