하이닉스반도체는 세계에서 가장 빠르고,가장 작은 1Gb(기가비트) 모바일 D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다.

모바일 D램은 휴대폰 등에 주로 사용되는 메모리 반도체다.

하이닉스는 최근 휴대용 전자기기가 급속히 소형화,대용량화,고속화하는 경향에 맞춰 1Gb 제품 중 가장 크기가 작고,데이터 처리 속도가 빠른 제품을 내놨다고 설명했다.

이번에 개발한 모바일 D램은 66나노 공정 기술을 이용,60나노급 공정으로는 세계 최초로 상용화되는 제품이다.

삼성전자와 마이크론은 각각 지난해 말과 올해 초 80나노와 78나노 공정으로 1Gb 제품을 개발한 바 있다.

더 미세한 공정을 사용할수록 제품의 크기는 더 줄어들고,적용 가능한 전자 기기의 수도 다양해진다.

이 제품은 전력 소비를 최소화할 수 있도록 설계돼 많은 양의 데이터를 보다 빠르게 처리하면서도 배터리 소모는 최소한으로 유지할 수 있다.

또 하이닉스의 '원 칩 솔루션' 기능을 갖추고 있어 탑재되는 기기의 사양에 맞춰 데이터 처리 속도와 방식을 변경해 사용할 수 있다.

하이닉스는 다양한 소형 메모리 제품에 적용이 가능한 제품의 특성을 살려 낸드 플래시와 D램을 적층해 만든 '낸드 멀티칩 패키지(NAND MCP)'와 패키지 위에 패키지를 얹는 '패키지 온 패키지(PoP)' 등 다양한 형태로 제품을 생산할 계획이다.

양산은 내년 1분기부터 시작한다.

유창재 기자 yoocool@hankyung.com