하이닉스반도체가 차세대 반도체의 하나인 'Z램' 개발에 나선다.

D램과 낸드플래시 등 두 가지 제품만을 생산하는 단조로운 사업구조를 다변화하기 위해서다.

하이닉스반도체는 14일 스위스 '이노베이티브 실리콘'(Innovative Silicon)과 라이선스 계약을 맺고 Z램을 공동 개발키로 했다고 밝혔다.

'이노베이티브 실리콘'은 Z램 원천특허를 보유하고 있는 회사다.

통상 D램은 데이터를 저장하는 캐패시터와 전하를 조절하는 트랜지스터 등 두 가지로 구성된다.

Z램은 이런 D램과 달리 캐패시터 없이 트랜지스터에 데이터를 저장할 수 있는 반도체다.

따라서 칩 크기는 물론 생산비용도 대폭 줄일 수 있다고 회사 측은 설명했다.

하이닉스는 이번 계약에 따라 이노베이티브 실리콘과 공동으로 연구인력을 투입,Z램을 개발할 계획이다.

이에 앞서 하이닉스는 차세대 반도체인 'P램' 개발도 본격적으로 추진하고 있다.

P램은 전원이 끊겨도 정보가 지워지지 않는 낸드플래시의 장점과 빠른 정보처리 속도를 자랑하는 D램의 특징을 함께 갖춘 반도체다.

하이닉스는 현재 사내 연구소를 통해 P램을 개발하고 있으며,2009년 본격 양산을 시작해 2012년 전체 매출의 30%인 250억달러 규모로 키운다는 계획이다.

하이닉스 관계자는 "P램에 이어 Z램 개발에 나선 것은 경쟁사들이 차세대 반도체 개발에 속속 나서는 상황에 대응하고 미래 시장 경쟁력을 확보하기 위한 취지"라고 설명했다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com