세계에서 가장 빠른 동작속도를 가진 30나노급 갈륨비소계 나노트랜지스터가 국내 연구팀에 의해 개발돼 차세대 초고속 반도체 소자 개발이 활기를 띨 전망이다.

포스텍은 22일 전자전기공학과 정윤하(57)교수 연구팀이 기존 실리콘 소자에 비해 10배이상 빠른 35나노미터(nm) 갈륨비소계 나노트랜지스터 개발에 성공했다고 밝혔다.

이번에 개발된 초고속 나노트랜지스터는 저항을 줄일 수 있는 지그재그 형태의 게이트 구조를 가져 나노트랜지스터의 동작속도를 결정하는 최대 발진주파수(fmax)가 520 기가헤르츠(GHz) 이상이 된다.

이같은 속도는 인듐인(InP) 기반의 트랜지스터와 유사하고 갈륨비소를 기반으로 한 트랜지스터 중에서는 세계에서 가장 빠른속도이며 전류이득 차단주파수와 최대 발진주파수가 모두 우수해 기존 기술보다 한 단계 더 진보한 나노전자소자 기술로 평가된다.

성능도 기존에 나와있는 50나노급 트랜지스터보다 우수하고 가격 또한 기존 제품의 절반 이하로 저렴한데다 제조공정이 쉬워 대량생산에 유리한 것이 장점이다.

정 교수팀이 개발한 이러한 기술은 미국전자전기공학회(IEEE)가 발간하는 '일렉트론 디바이스 레터(EDL)' 8월호에 게재됐으며 국내외 특허 출원이 신청된 상태다.

한경닷컴 뉴스팀 newsinfo@hankyung.com