삼성電, 60나노급 2GB D램 개발..양산 전환 완료(상보)

삼성전자가 세계 최초로 60나노급 2GB D램 개발에 성공했다.

12일 삼성전자는 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 2GB DDR2 D램을 개발, 인텔의 인증을 획득했다고 공시했다.

양산은 올 연말부터 시작할 예정이다.

이에 따라 삼성전자는 올해 말 업계에서 유일하게 DDR2 D램 전제품에 대해 60나노급 양산 전환을 완료하게 된다.

삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 60나노급 1GB DDR2 D램 양산을 시작한 바 있다.

한편 삼성전자는 "이번에 개발한 60나노급 2GB D램은 지난 2004년 개발한 80나노급 2GB D램의 최대 속도(667Mbps) 대비 20% 가량 성능이 향상된 800Mbps 구현이 가능하다"고 설명했다.

생산성도 40% 이상 향상될 것으로 기대한다고 삼성전자는 밝혔다.

또 8GB 서버용 모듈과 워크스테이션, 데스크탑PC, 노트북PC 등에 탑재되는 4GB 모듈 등 메모리 용량을 기존 대비 2배로 높일 수 있는 솔루션을 제공하게 돼 메모리 용량 확대를 가속화시킬 것으로 예상했다.

회사 관계자는 "전력 절감과 시스템 작동시 발열량 감소, 신뢰성 향상 등의 효과가 기대된다"고 덧붙였다.

삼성전자는 60나노급 1기가 DDR2 D램을 필두로 올 하반기부터 D램 시장의 주요 제품에 대해 기존 512MB에서 1GB로의 전환을 주도하고 있다.

한경닷컴 강지연 기자 serew@hankyung.com