국내 연구진이 '꿈의 반도체'로 불리는 고집적 Fe램(F램)의 메모리 저장과 삭제 시 일어나는 전자기적 구조를 밝혀냈다. 이에 따라 10년 이상 데이터를 보존할 수 있을 뿐 아니라 데이터 처리 속도가 플래시 메모리보다 5배 빠른 반도체로 각광을 받는 Fe램의 개발이 한층 앞당겨질 전망이다.

포스텍 신영한 교수(35)는 Fe램에 사용되는 강유전체 도메인의 동역학적 성질을 규명해 영국의 과학저널 네이처 18일자에 실었다고 17일 밝혔다.

Fe램은 현재 사용되고 있는 D램과 거의 같은 구조로 되어 있지만 강유전체를 사용해 전원이 꺼져도 데이터를 보관하고 전압도 낮출 것으로 기대되는 차세대 소자다.

신 박사는 "이번 연구 성과는 지금까지의 Fe램보다 속도가 빠르고 집적도가 높은 메모리를 개발하는 데 활용될 수 있을 것"이라고 밝혔다.

오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com