삼성전자에 이어 하이닉스반도체도 내년 하반기 54나노 공정을 기반으로 한 1Gb DDR2 D램을 양산한다.

해외 업체들은 여전히 70∼80나노 공정에 의존하고 있어 내년에도 국내 반도체 업체들이 세계 D램 시장을 이끌어갈 전망이다.

하이닉스는 최근 54나노 공정 기술 개발을 끝내고 미국 인텔로부터 1Gb DDR2 D램 제품에 대한 인증을 획득했다고 25일 밝혔다.

인텔 인증은 새로 개발된 D램 등이 상용 제품에 쓰이는 데 적합하다는 것을 의미하는 사실상 업계 공인이다.

50나노급 1Gb D램이 인텔로부터 인증을 받은 건 지난 7월 삼성전자에 이어 하이닉스가 두 번째다.

이번에 인증을 따낸 54나노 1Gb DDR2 D램은 현재 양산 중인 66나노 공정에 비해 생산성이 50% 이상 높아졌다.

유창재 기자 yoocool@hankyung.com