국내 연구진이 고분자 물질과 금속 나노입자를 붙인 실리콘 기판을 층층히 쌓아올리는 공정 기술을 개발했다.이 기술이 상용화될 경우 비휘발성 메모리의 저장 능력이 획기적으로 개선될 수 있을 것으로 보인다.

국민대 조진한 교수팀은 고분자ㆍ금속 나노입자의 다층박막 구조를 가진 플래시 메모리소자를 자기조립법으로 제조하는 공정을 개발했다고 3일 밝혔다.이 연구 성과는 3일자 네이처 나노테크놀로지 온라인판에 실린다.

조 교수는 이번에 개발한 자기조립법이 기존 단일층 메모리소자 제조공정보다 단순하고 메모리 저장 역할을 하는 금속 나노입자의 밀도를 용액의 산성도(pH)나 나노입자 크기 등을 통해 조절할 수 있어 저장 능력을 높이고 전기적 성질 등을 쉽게 제어할 수 있다고 설명했다.

오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com