국내 연구진이 나노 트랜지스터 분야에서 일본의 기술을 뛰어넘는 연구 성과를 거뒀다.

서울대 서광석 교수팀은 15㎚,610㎓급 갈륨비소계 나노 트랜지스터(HEMT) 개발에 성공했다고 11일 밝혔다.

이 기술은 지금까지 일본 후지쓰가 보유하고 있는 세계 최고 기록인 25㎚,562㎓급 트랜지스터보다 게이트 길이를 10나노 줄인 것이다.

화합물 반도체는 기존 실리콘 반도체보다 스위칭 속도가 10배 이상 빠르면서 소비 전력은 10분의 1 수준이어서 현재 인텔，IBM 등이 2015년 이후 차세대 반도체 전자소자로 적용키 위해 활발히 연구를 진행하는 분야다.

서 교수팀은 이번 연구에서 '경사식각 공정'이라는 새로운 기술을 창안，초미세 게이트 전극을 안정적으로 구현함은 물론 전극이 쉽게 끊어지는 문제를 동시에 해결했다.

화합물 반도체는 현재 이동·위성통신，자동차용 충돌 방지장치 및 모바일 센서 등의 마이크로파·밀리미터파 시스템과 초고속 광통신 시스템의 핵심 부품으로 널리 사용되고 있으며 내년 세계 시장이 60억달러 규모로 예상된다.

오춘호 기자 ohchoon@hankyung.com