삼성전자와 하이닉스반도체가 차세대 테라비트(tera-bit)급 반도체 개발을 위해 손을 맞잡았다.

일본 및 미국 반도체 업체들의 거센 추격을 따돌리고 '메모리반도체 최강국'의 입지를 굳히기 위해서다.

양사가 반도체 공동 개발에 나선 것은 국내 반도체 산업 초창기인 1986년 4Mb D램 공동 개발 이후 22년 만이다.

산업자원부는 24일 한양대 종합기술원에서 삼성전자,하이닉스와 테라비트급 차세대 메모리반도체인 'STT-M램' 공동 개발을 위한 연구개발(R&D) 협약을 체결했다.

이에 따라 삼성전자와 하이닉스는 산자부가 2004년부터 7년간 525억원을 투입해 진행하고 있는 '차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 개발사업' 2단계 프로젝트에 참여해 STT-M램을 공동 개발한다.

양사는 기술교류와 함께 향후 2년간 각각 45억원을 투자하기로 했다.

양사가 공동 개발에 나서는 'STT-M램'은 전기를 이용해 데이터를 저장하는 D램과 달리 자기(磁氣)를 이용해 데이터를 저장하는 차세대 반도체다.

D램에 비해 데이터 처리 속도가 빠르다.

데이터 저장용량도 1조비트에 해당하는 테라급으로 1만2500년 분량의 신문기사나 MP3 음악파일 50만곡,DVD 영화 1250편을 저장할 수 있다.

삼성전자와 하이닉스의 이번 R&D 협력은 최근 일본 업체들의 기술 추격이 거세지면서 국내 업체 간 공동 대응이 절실하다는 판단에 따른 것이다.

일본 정부는 2006년 도시바,NEC,후지쓰 등과 함께 STT-M램 개발에 30억엔을 투입한 상태다.

삼성전자 관계자는 "이번 협약은 한국이 반도체 강국의 위상을 강화하기 위해 정부-기업-대학이 힘을 모았다는 점에서 의미가 크다"고 말했다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com