하이닉스반도체는 54나노 1Gb(기가비트) DDR2 제품 개발을 올 2분기 안에 마치고 3분기부터 양산에 들어간다고 10일 밝혔다.이는 D램의 주력 제품이 512Mb(메가비트)에서 1Gb(기가비트)로 교체되고 있는 시장 상황에 신속하게 대처해 수익성을 제고하기 위한 것이다.

최근 D램 메모리 반도체 시장은 1Gb 제품 1개 가격이 512Mb(메가비트) 2개보다 낮은 '비트 크로스(Bit Cross)'가 발생하는 등 주력 시장이 1Gb로 급격히 바뀌고 있다.반도체 업체로서는 수익성 개선을 위해 60나노급 공정에 비해 웨이퍼 크기를 40%까지 줄일 수 있는 50나노급 미세 공정으로의 공정전환이 시급한 상황이다.

하이닉스는 이와 함께 D램 기술 경쟁력 강화를 위해 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수(Net Die)를 45% 이상 늘리고 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킬 예정이라고 밝혔다.하이닉스는 이 같은 계획에 따라 올해 안으로 44나노 1Gb DDR3 제품 개발에도 착수해 내년 상반기까지 제품 개발을 마칠 계획이다.

낸드플래시의 경우에는 업계 최초로 40나노급 제품인 48나노 제품을 1분기 중 개발해 2분기부터 양산하고 41나노 제품개발도 연말까지 마치기로 했다.

하이닉스는 또 차세대 저장장치로 떠오르고 있는 SSD(Solid State Disk)도 하반기부터 128GB 제품을 중심으로 출시할 예정이다.

김현예 기자 yeah@hankyung.com