기술유출 논란에 휩싸였던 하이닉스반도체의 50나노급 D램 기술의 대만 이전이 적법하다는 판단이 나왔다.

이에 따라 하이닉스는 내년 초부터 대만 반도체 위탁생산(파운드리) 업체인 프로모스를 통해 54나노 D램을 생산할 수 있게 됐다.

지식경제부 산업기술보호위원회 소속 전문위원회는 29일 심의를 열고 하이닉스의 54나노 D램 기술 이전이 국가 안보상 심각한 영향이 없다고 판단했다고 밝혔다.

하이닉스는 지난해부터 프로모스에 54나노 D램 기술을 이전하고 반도체를 위탁생산하는 내용의 제휴를 추진해왔다.

하지만 삼성전자가 최신 반도체 기술인 54나노 기술을 대만 업체에 넘겨주는 데 대해 문제를 제기해 기술유출 논란이 벌어졌다.

50나노급 기술은 삼성전자가 업계 최초로 지난달 56나노 D램 기술을 사용한 반도체 생산에 들어간 데 이어 하이닉스 역시 이달 54나노 기술을 사용해 D램 반도체를 만들 정도로 최첨단 제조공정에 속한다.

현행 산업기술유출방지법에 따르면 반도체와 LCD(액정표시장치)，조선 등 국가 핵심 기술에 대해서는 지경부 심의를 거치도록 하고 있다.

하이닉스 관계자는 "기술 이전 시점인 내년 초에는 50나노대 기술은 업계의 일반적인 기술에 불과하게 된다"고 말했다.

김현예 기자 yeah@hankyung.com