하이닉스반도체는 3중셀 방식의 32기가비트(Gb) 낸드플래시 개발에 성공했다고 3일 밝혔다.

전원이 끊겨도 저장된 정보를 계속 보관할 수 있는 낸드플래시에 정보를 저장하기 위해서는 '셀(cell)'로 불리우는 저장공간이 필요하다.

그간 반도체 업체들은 셀 하나에 한개의 정보를 담는 SLC(single level cell) 방식과 두개의 정보를 담을 수 있도록 셀을 둘로 나눈 MLC(multi level cell) 방식으로 낸드플래시를 만들어왔다.

하이닉스가 이번에 내놓은 3중셀 방식의 제품은 한 개의 셀을 세개로 나눠 같은 크기의 기존 제품 대비 저장할 수 있는 정보량을 3배로 높였다.

이같은 방식으로 낸드플래시를 만든 것은 하이닉스가 처음은 아니다.

일본 도시바는 최근 세계 최초로 3중셀 방식의 16Gb 낸드플래시를 개발했다.

하이닉스 관계자는 "이번에 개발한 제품은 도시바가 선보인 것보다 고용량 제품"이라며 "오는 10월부터 48나노 기술을 사용해 양산에 들어갈 계획"이라고 말했다.

하이닉스는 이 제품 8개를 하나로 묶어 휴대폰 MP3플레이어 게임기 디지털 TV 등 다양한 디지털 기기에 쓰일 수 있도록 32기가바이트(GB) 제품으로 시장에 선보일 계획이다.

가로 1.8cm, 세로 1.4cm 크기의 3중셀 방식 32GB 낸드플래시는 같은 용량의 기존제품 대비 칩 면적이 30%나 작아 생산비용을 크게 줄일 수 있다.

MP3 음악파일 8000곡이나 DVD 화질급 영화 20편,또는 고해상도 사진 3만6000장,일간지 200년치 분량에 해당하는 방대한 정보를 한 번에 저장할 수 있다.

회사 관계자는 "이번 신제품은 기존 제품과 동일한 성능을 가지면서도 생산원가를 크게 낮출 수 있는 특징이 있다"며 "앞으로 이 기술을 이용해 4중셀 방식을 적용한 차세대 제품개발에도 나설 예정"이라고 말했다.

김현예 기자 yeah@hankyung.com