이소연씨 실험 … 오류없이 작동

삼성.하이닉스 64Mb급 개발

한국항공우주연구원과 전자부품연구원은 우리나라 첫 우주인인 이소연씨가 국제우주정거장(ISS)에서 수행한 차세대 반도체 실험 결과를 분석,F램(강유전체 메모리 반도체 소자)을 ISS에서 사용할 수 있다는 결론을 내렸다.

5일 항우연에 따르면 이번 실험의 목표는 차세대 반도체인 F램이 ISS에서 오류없이 작동하는지 여부를 확인하는 것.ISS 내부에선 우주입자나 우주방사선의 영향으로 메모리 칩의 오작동이 발생하기 쉽다.

ISS 안에 있는 CCD 카메라 등을 1년가량 사용하면 촬영한 영상의 화소가 조금씩 깨지는 현상이 발생하는데 이는 기존에 사용되고 있는 D램이나 플래시 메모리가 우주 환경에 취약하기 때문이다.

F램은 빠른 속도와 비휘발성이라는 D램과 플래시 메모리의 장점만을 갖고 있는 차세대 반도체로 향후 각종 우주장비에 사용될 가능성이 높다.

홍석경 하이닉스 반도체 수석연구원은 "F램은 데이터 저장방식이 플래시 메모리 등과 달라 기본적으로 우주에서 사용할 때 방사선에 더 잘 견딜 수 있다"면서 "용량문제만 해결되면 플래시 메모리보다 많이 사용될 것"이라고 말했다.

D램은 속도는 빠르지만 전원이 차단될 경우 기억된 정보가 소멸되는 휘발성 메모리다.

이에 비해 플래시 메모리는 비휘발성이지만 D램에 비해 속도가 느리다.

현재 미국의 램트론사가 4Mb급 F램을 양산하고 있으며 삼성전자와 하이닉스 등 국내 반도체 업체들도 64Mb급 F램을 개발한 상태다.

이번 실험을 위해 항우연은 64Mb급 F램을 미리 지난 2월 러시아 무인 화물우주선 프로그레스호에 실어 ISS로 보내 두 달간 ISS 환경에 노출시켰다.

이후 이씨가 소유스호를 타고 ISS에 올라간 후 이들 메모리로 읽고 쓰고 저장하는 테스트를 수행했으며 결과가 담긴 메모리 칩을 지구로 가져왔다.

임기택 전자부품연구원 연구원은 "실험결과 ISS내에서 발생되는 우주 입자들의 에너지양은 FRAM의 작동에 영향을 미칠만큼 크지 않은 것으로 나타났다"고 밝혔다.

최기혁 항우연 우주인개발단 단장은 "이번 실험 결과를 토대로 우주에서 필요한 각종 전자 제품이나 장비 등에 들어가는 고성능 메모리를 개발할 수 있을 것"이라고 강조했다.

황경남 기자 knhwang@hankyung.com