세계 메모리 반도체 분야 1,2위 기업인 삼성전자와 하이닉스반도체가 일본과 대만 업체들의 추격을 따돌리기 위해 손을 잡았다.

국내 반도체 업체들과 지식경제부는 25일 △차세대 메모리 반도체 공동 연구개발(R&D) △기술 및 규격표준 선점 표준화 △장비.재료 국산화 확대 등의 내용을 담고 있는 '반도체산업 기술협력 협약'에 합의했다.

삼성전자와 하이닉스는 이날 협약에서 30나노 이하로 집적해 정보 저장량이 큰 미래형 메모리 반도체로, 2012년부터 시장이 형성될 것으로 보이는 'STT－M램'을 공동 개발하기로 합의했다.

지경부와 업계는 STT－M램의 원천기술을 2012년까지 확보할 경우 연간 5000억원 상당의 로열티를 절감할 수 있을 것으로 보고 있다.

기업들은 2012년 이후 반도체 생산이 450㎜ 웨이퍼 공정으로 전환할 것으로 보고 450㎜ 장비와 재료에 대한 국제표준을 선점한다는 전략도 확정했다.

이를 위해 8월 중 산.학.관 공동으로 '한국 반도체 표준화 협의체'(KSSA)를 구성하기로 했다.

20% 안팎에 불과한 반도체 장비와 소재의 국산화율을 높인다는 계획도 내놨다.

삼성전자와 하이닉스는 국내 중소기업이 경쟁력을 갖출 수 있도록 기술을 지원하는 한편 내년까지 6463억원어치의 국산 장비와 소재를 구매하기로 했다.

지경부는 '시스템 반도체(비메모리)산업 발전 전략'을 공개,2015년까지 한국 기업의 시스템 반도체 시장 점유율을 10%까지 끌어올리기 위해 시스템 반도체산업 발전의 토대가 되는 팹리스(반도체 설계업체),파운드리(반도체 수탁가공) 업체 등을 집중 지원할 것이라고 밝혔다.

송형석 기자 click@hankyung.com