하이닉스반도체는 세계 최초로 54나노 초미세 공정을 사용한 2기가비트(Gb) 모바일 D램 개발에 성공,내년 상반기부터 양산할 예정이라고 3일 밝혔다.

모바일 D램은 휴대폰,내비게이션 등 휴대용 디지털 기기에 쓰이는 D램의 일종으로,최근 디지털 기기의 성능 향상과 함께 시장 규모도 빠르게 늘어나고 있다. 하이닉스가 개발한 제품은 기존 1Gb 모바일 D램보다 용량이 2배에 달하는데도 전력 소비량은 기존 제품의 8분의 1에 불과하다.

1.2V 초저전력으로 동작이 가능하고 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있다. 초당 1.6기가바이트(GB)에 달하는 정보를 한 번에 처리할 수 있어 휴대폰과 디지털카메라,MP3 플레이어 등에 적합하다고 회사 측은 설명했다. 하이닉스는 "이 제품은 울트라 모바일PC(UMPC) 등 차세대 응용제품에도 쓰일 수 있어 모바일 D램 시장을 선도할 것"이라고 말했다. 시장조사기관인 아이서플라이에 따르면 모바일 D램 시장은 2012년까지 연 평균 14.4%가량 성장할 것으로 전망되고 있다.

김현예 기자 yeah@hankyung.com