투명한 컴퓨터나 휴대폰 등에 적용할 수 있는 투명 메모리 소자가 국내 연구진에 의해 세계 최초로 개발됐다.

임굉수 KAIST 전자전산학부 교수팀은 투명한 유리 기판 위에 투명한 금속산화물을 전극 등으로 사용해 차세대 투명 저항변화메모리(TRRAM) 소자를 만드는 데 성공했다고 15일 발표했다. 이 연구 결과는 미국 응용물리학회지(Applied Physics Letters) 12월호에 게재됐으며 미국 물리학회는 이 결과를 '주목받는 기술'로 선정했다.

TRRAM은 현재 많은 사용되는 USB형 플래시 메모리처럼 전원이 제거돼도 저장된 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리 소자다.

투명 유리나 플라스틱 기판 위에 투명 전극과 투명 산화물박막 등으로 구성돼 있어 전체가 투명하게 보이며 기존 실리콘 기반의 CMOS 플래시 메모리보다 공정이 훨씬 간단하고 사용 기간도 10년 이상으로 매우 길다. 연구진은 투명메모리 소재로 빛을 잘 투과하는 동시에 전기가 잘 통하는 산화인듐주석(ITO)과 산화아연(ZnO)을 사용했다.

임 교수는 "TRRAM은 제조가 쉽기 때문에 기업체가 본격적으로 참여하면 3~4년 내 상업화가 가능할 것으로 전망된다"며 "현재 이를 휘거나 접을 수 있는 재료를 이용해서 만드는 연구도 진행하고 있다"고 말했다.

황경남 기자 knhwang@hankyung.com