삼성전자가 세계에서 처음으로 40나노(㎚ · 1㎚는 10억분의 1m) 공정을 적용한 D램을 개발했다고 4일 발표했다. 40나노 제품은 50나노 공정으로 제작한 기존 D램보다 칩의 크기가 작아 소형 정보기술(IT) 기기에 적합하다. 생산 원가는 기존 제품보다 20% 이상 저렴하다.

삼성전자는 2005년 60나노,2006년 50나노 D램을 세계 최초로 선보인 데 이어 약 2년 만에 집적도를 높인 신제품을 내놓으며 세계 메모리 반도체 분야에서 기술 우위를 다시 한번 입증했다.

이 제품은 1.2V 전력으로 동작이 가능하다. 1.5V를 사용하는 50나노 제품보다 소비전력을 30% 이상 줄일 수 있다. 생산성도 기존 제품에 비해 60%가량 높다. 회사 관계자는 "경쟁 업체들과의 기술격차가 1년 이상 늘어났다는 것이 자체적인 평가"라고 설명했다.

삼성전자는 40나노 제품의 양산을 서두르고 있다. 오는 3분기부터 1Gb D램뿐 아니라 2Gb 제품도 40나노 공정을 통해 생산할 방침이다. 제품 개발 후 양산까지 2년이 걸렸던 50나노 단계와 비교하면 양산화 기간이 2분의 1 이하로 줄어든 셈이다.

송형석 기자 click@hankyung.com