하이닉스반도체가 44나노(㎚ · 1㎚는 10억분의 1m) 공정을 적용한 1기가비트(Gb) DDR3 D램(사진)을 개발,올 3분기부터 양산에 들어간다고 8일 발표했다. 이 제품은 현재 양산하고 있는 54나노 공정 제품에 비해 생산성이 50% 이상 높다. 하이닉스 관계자는 "이번에 개발한 44나노 D램은 미국 인텔의 규격과 호환성을 만족하는 제품"이라며 "금명간 인텔 주도로 제품 인증을 위한 실험에 들어갈 예정"이라고 설명했다. 이 관계자는 "3분기 1Gb 제품을 시작으로 2010년까지 2Gb 등 다양한 제품으로 44나노 공정을 확대할 계획"이라고 덧붙였다.

이 제품이 지원하는 최고 속도는 향후 차세대 DDR3의 표준이 될 것으로 보이는 2133Mbps(초당 2133Mb 데이터 처리)이며 다양한 전압을 지원하는 것이 특징이다. 회사 관계자는 "3차원 트랜지스터 기술을 통해 전력 소비를 최소화해 상품성이 높다"고 말했다. 삼성전자에 이어 하이닉스가 40나노급 제품 개발에 성공함에 따라 반도체 시황이 회복될 것으로 예측되는 올 하반기 이후 국내 반도체 업체들의 입지가 한층 탄탄해질 것으로 전망된다. 삼성전자는 지난 4일 세계 최초로 46나노 제품을 공개했다. 삼성전자는 인텔 인증을 이미 마쳤으며 오는 3분기부터 1Gb와 2Gb 제품의 양산에 들어갈 계획이다.

해외 D램업체들은 아직 60나노대에 머물러 있다. 국내 업체들과 비교하면 1~2년가량 기술 격차가 벌어진 상태다.

업계 관계자는 "엘피다 마이크론 등이 대만 반도체업체들과의 합종연횡을 추진하고 있지만 기술력을 끌어올리지 못하는 한 삼성전자와 하이닉스를 따라잡기 힘들 것"이라고 전망했다.

송형석 기자 click@hankyung.com

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◆DDR3 D램

PC 등의 메모리 장치로 쓰이는 D램의 처리 속도를 2배로 개선시킨 것이 DDR(Double Data Rate) D램이다. D램이 1클럭당 1개의 데이터를 전송하는 데 비해 DDR D램은 1클럭당 2개의 데이터를 전송할 수 있다. DDR D램은 성능에 따라 DDR,DDR2,DDR3 등으로 나뉘는데 단계가 높아질 때마다 데이터 처리 속도가 2배가량 빨라진다. DDR2는 2004년에 최초로 시장에 도입됐으며 전원전압 1.8V에서 최대 800Mbps의 속도를 낸다. DDR3는 지난해 처음 나온 제품으로 최고 처리 속도가 2133Mbps에 달한다.