성균관대학교 화학과 이효영 교수팀은 분자 메모리소재로 단분자막 비휘발성 분자 메모리소자를 제작하는데 성공했다고 8일 발표했다.

이 소자는 분자 메모리소재로 쓰이는 유기금속물질의 분자가 가진 고유의 메모리 기능을 이용해 신호처리,정보처리 및 정보저장을 할 수 있는 신개념 소자로 알려져 있다.단위 면적당 초고밀도 집적이 가능한 차세대 반도체 소자로 손꼽힌다.

지금까지 단분자막을 이용한 분자 메모리소자는 소자 상부의 전극을 제작할 때 탄소나노튜브와 금속나노와이어 등을 이용하는 방법이 있었으나 금속 입자가 전극에 침투할 때 일어나는 전기단락(short) 현상 등의 문제가 있어 상용화가 어려웠다.

이같은 문제점을 해결하기 위해 이 교수팀은 직접 설계 및 합성한 3∼4nm(나노미터) 길이의 유기금속 단분자막과 상부 금속전극 사이에 전도성 유기 물질을 끼워 넣는 방법으로 전기단락 현상을 막고 소자의 효율도 높였다.

이효영 교수는 “이번 연구는 집적화가 가능한 단분자막을 이용한 분자 메모리소자 구현에 대한 가능성을 확인한 최초 연구”라고 설명했다.연구 결과는 화학분야의 세계적인 권위지인 ‘앙게반테 케미(Angewandte Chemie)’지 10월 1일자 인터넷판에 발표됐다.

임기훈 기자 shagger@hankyung.com