<국제엠바고/26일 새벽 2시이후 게재바랍니다>

이경진 고려대 신소재공학과 교수 산학연 공동연구팀은 차세대 메모리로 손꼽히는 STT－MRAM(스핀토크 자기메모리)에서 발생하는 오동작의 원리를 규명하고 이를 방지할 수 있는 기술을 개발했다고 26일 밝혔다.

STT－MRAM은 수십 나노미터 크기의 작은 자석에 전류를 흘릴 때 자석이 자기를 띄는 방향이 바뀌는 현상인 스핀전달토크(spin－transfer torque)를 이용해 정보를 기록하는 비휘발성 메모리다. 기존의 메모리보다 처리속도가 빠르고 30나노미터 크기이하의 초소형메모리를 만들 수 있어 차세대 메모리의 선두주자로 각광받고 있다. 하지만 STT－MRAM은 빠른 속도로 구동될 때 오동작이 발생하는 문제가 있어 상용화가 어려운 것으로 알려졌다.

연구팀은 이러한 오동작의 원인이 스핀전달토크가 특정한 전압에 의존하기 때문이라는 점을 밝혀냈다. 이에따라 연구팀은 전극에서 발생하는 양자효과를 조절,스핀전달토크의 전압 의존성을 제어하는데 성공, 이러한 오동작이 일어나지 않는 STT－MRAM을 만들었다. 이경진 교수는 "국내 반도체 기술이 한 단계 올라서는데 도움이 될 것으로 기대한다"라고 말했다. 이번 성과는 물리학 분야에 저명한 국제 과학저널인 '네이처 피직스(Nature Physics)'지에 25일자로 게재됐다.

임기훈 기자 shagger@hankyung.com