삼성전자 하이닉스반도체 등 국내 기업들과 학계가 차세대 메모리 주력 제품으로 유력시되는 STT-MRAM(Spin Transfer Torque－Magnetic Random Access Memory)의 공동개발에 착수했다.

지식경제부는 26일 서울 한양대에서 임채민 1차관과 권오현 삼성전자 사장,김종갑 하이닉스 사장 등 업계,학계 인사 150여명이 참석한 가운데 '차세대 메모리 산 · 학 · 연 공동연구센터' 개소식을 개최했다.

정부와 삼성전자,하이닉스가 공동 출연해 설립한 이 센터는 차세대 메모리 제품인 STT-MRAM에 대한 연구 · 개발(R&D)을 진행하게 된다. STT-MRAM은 자성 재료에서 전기적 저항 차이가 발생되는 현상을 정보 저장에 이용하는 차세대 메모리다.

연구센터에는 대학으로는 세계에서 두 번째로 300㎜급 반도체 장비가 구축됐다. 대학의 연구인력뿐 아니라 삼성전자와 하이닉스의 연구진이 상주해 공동으로 R&D 작업을 수행하게 된다.

정부와 업계는 이 연구센터에서 진행하는 R&D를 통해 200㎜급 반도체 장비를 활용중인 일본과의 원천기술 격차를 줄이는 한편,세계 최초로 STT-MRAM 개발에 성공하는 것을 목표로 하고 있다. 이를 통해 2015년 이후엔 30나노급 이하 메모리 시장의 45%를 점유한다는 전략이다.

류시훈 기자 bada@hankyung.com