윤순길 충남대학교 재료공학과 교수팀은 화학기상증착법(CVD)을 이용,인듐-안티몬-텔레늄 합금(In－Sb－Te;IST)소재 박막 및 상변화 메모리소자를 만들 수 있는 기초 기술을 개발했다고 3일 밝혔다.

화학기상증착법은 화학적 반응을 통해 기판 위에 박막층을 입히는 방법으로 넓은 면적의 박막 양산이 가능한 것으로 알려져 있다. 연구팀은 IST 재료를 사용해 섭씨 약 250도에서 박막 증착과 상변화 메모리의 뼈대인 나노와이어를 만들어 내는데 성공했다.

상변화 메모리(Phase Change RAM)란 특정 물질의 형태가 불규칙한 상태인 비정질상과 일정한 모양을 갖는 결정상태일 때의 전기전도도 차이를 이용,정보를 저장하고 판독하는 메모리 소자다. 구조가 단순하고 생산 단가는 상대적으로 저렴한 반면 D램에 비견될 만한 성능을 갖춰 차세대 비휘발성 메모리의 하나로 손꼽히고 있다.

윤순길 교수는 "이번 연구 결과를 응용하면 상변화 메모리를 상용화할 수 있을 것으로 기대한다"며 "상용 원천기술 확보를 위한 연구를 지속해 나가겠다"고 말했다. 한편 이번 연구 결과는 지난해 12월29일 나노 분야의 세계적 과학저널인 '나노레터(Nano Letters)'지 온라인판에 게재됐다.

임기훈 기자 shagger@hankyung.com