삼성전자는 30나노급 공정을 적용한 2Gb(기가비트) DDR3 D램 개발에 성공,하반기부터 양산에 들어간다고 1일 밝혔다. 30나노급 D램은 현재 주력상품인 50나노급 D램에 비해 두 배 이상 생산성을 높일 수 있고 소비전력을 30%가량 절감할 수 있는 제품이라고 회사 측은 설명했다. 노트북에 30나노급 4GB(기가바이트) D램 모듈을 사용하면 시간당 전력 소비량은 약 3W(와트) 정도로 가정용 형광등 1개의 10%에 불과하다.

삼성전자는 작년 1월 40나노급 D램을 개발한 지 1년 만에 차세대 공정제품 개발에 성공했다. 조수인 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 경쟁업체와의 격차를 1년 이상 더 벌렸다"고 말했다.

김용준 기자 junyk@hankyung.com