['삼성 반도체 기술' 유출] 하이닉스 "공정개발 등에 사용 안해"
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삼성 "핵심기술 유출…국가적 손실"
하이닉스반도체는 검찰 발표와 관련,"삼성전자에서 유출된 기술 중 일부가 회사 내에 들어온 사실은 인정하지만,수사 결과를 그대로 받아들이기는 어렵다"는 내용을 담은 설명자료를 3일 내놓았다.
삼성전자의 40나노급(1㎚=10억분의 1m) 낸드 플래시 공정 기술 정보 등을 얻은 시점인 지난해 5월 이전에 이미 관련 제품을 생산하고 있었다는 것이다. 하이닉스는 합작사인 뉴모닉스와의 협력을 통해 구리를 이용한 40나노급 낸드 플래시를 2008년 1월에 개발,작년 2월부터 양산에 돌입했다고 밝혔다.
하이닉스 관계자는 "이번 사건은 일부 직원들이 참여하는 비공식 학습조직의 정보수집 과정에서 발생한 일"이라며 "재판 단계에서 진실이 규명될 것으로 기대하고 있다"고 말했다.
이 관계자는 "구리를 이용한 두 회사의 40나노급 낸드 플래시 기술은 작업 조건과 세부 공정이 다르다"며 "공정 기술을 입수했다 하더라도 양산 과정에서 활용하기 힘들다"고 덧붙였다.
검찰이 유출 가능성을 언급한 30나노급 이상의 최신 기술과 관련해서는 "삼성전자와 AMK 사이의 문제로 하이닉스로는 기술이 넘어오지 않았다"고 설명했다.
삼성전자는 그러나 기술유출 사건에 대해 유감과 우려의 뜻을 밝혔다. "해외 반도체업체로도 기술이 넘어갔을 가능성이 있어 상당한 국가적 손실이 우려된다"는 것이다. 구체적인 책임소재와 관련해서는 "검찰의 수사를 좀 더 지켜 보겠다"며 말을 아꼈다.
업계에서는 검찰과 하이닉스 간 법정 공방이 치열하게 벌어질 것으로 보고 있다. 후발업체인 하이닉스가 삼성전자의 반도체 기술을 의도적으로 빼냈는지 여부가 최대 쟁점이 될 것으로 보인다. 경우에 따라 사건이 더 확대될 가능성도 배제할 수 없다. 하이닉스가 이번에 드러난 AMK의 행태에 비춰볼 때 자사의 기술도 유출됐을 가능성이 높다고 보고 검찰에 수사를 요청했기 때문이다.
송형석 기자 click@hankyung.com
삼성전자의 40나노급(1㎚=10억분의 1m) 낸드 플래시 공정 기술 정보 등을 얻은 시점인 지난해 5월 이전에 이미 관련 제품을 생산하고 있었다는 것이다. 하이닉스는 합작사인 뉴모닉스와의 협력을 통해 구리를 이용한 40나노급 낸드 플래시를 2008년 1월에 개발,작년 2월부터 양산에 돌입했다고 밝혔다.
하이닉스 관계자는 "이번 사건은 일부 직원들이 참여하는 비공식 학습조직의 정보수집 과정에서 발생한 일"이라며 "재판 단계에서 진실이 규명될 것으로 기대하고 있다"고 말했다.
이 관계자는 "구리를 이용한 두 회사의 40나노급 낸드 플래시 기술은 작업 조건과 세부 공정이 다르다"며 "공정 기술을 입수했다 하더라도 양산 과정에서 활용하기 힘들다"고 덧붙였다.
검찰이 유출 가능성을 언급한 30나노급 이상의 최신 기술과 관련해서는 "삼성전자와 AMK 사이의 문제로 하이닉스로는 기술이 넘어오지 않았다"고 설명했다.
삼성전자는 그러나 기술유출 사건에 대해 유감과 우려의 뜻을 밝혔다. "해외 반도체업체로도 기술이 넘어갔을 가능성이 있어 상당한 국가적 손실이 우려된다"는 것이다. 구체적인 책임소재와 관련해서는 "검찰의 수사를 좀 더 지켜 보겠다"며 말을 아꼈다.
업계에서는 검찰과 하이닉스 간 법정 공방이 치열하게 벌어질 것으로 보고 있다. 후발업체인 하이닉스가 삼성전자의 반도체 기술을 의도적으로 빼냈는지 여부가 최대 쟁점이 될 것으로 보인다. 경우에 따라 사건이 더 확대될 가능성도 배제할 수 없다. 하이닉스가 이번에 드러난 AMK의 행태에 비춰볼 때 자사의 기술도 유출됐을 가능성이 높다고 보고 검찰에 수사를 요청했기 때문이다.
송형석 기자 click@hankyung.com