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삼성전자는 세계 최초로 20나노급 미세 공정을 적용한 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 양산을 시작했다고 19일 밝혔다.

이번에 양산하는 20나노급 멀티레벨셀(MLC) 낸드플래시는 기존 30나노급 제품 대비 생산성을 약 50% 높일 수 있다.

삼성전자는 20나노급 낸드를 이용해 만든 플래시 메모리 저장장치 SD 카드도 출시했다.이번에 선보인 8기가바이트(GB) 용량 이상의 SD카드는 기존 제품 중 가장 빠른 초당 10메가바이트(MB/s)의 쓰기 속도를 지원한다.삼성전자는 4GB~64GB SD 카드 제품은 물론 휴대폰 등에 사용하는 모바일 플래시 메모리 카드(moviNAND) 등에도 20나노급 낸드를 순차적으로 적용해 나갈 계획이다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 “생산성과 성능을 동시에 높인 20나노급 MLC 낸드플래시를 양산하게 돼 고성능,대용량 메모리에 대한 시장 수요에 적극 대응할 수 있게 됐다”며 “스마트폰용 대용량·고성능 저장장치,메모리 카드 시장 등을 선점하는 기회가 될 것”이라고 말했다.

김태훈 기자 taehun@hankyung.com