삼성전자는 첨단 32나노 저전력 HKMG(하이-케이 메탈 게이트, High-K Metal Gate) 공정을 파운드리(반도체 수탁생산) 업계 최초로 개발했다고 11일 밝혔다.

'하이-케이 메탈 게이트' 기술은 신(新) 물질을 사용해 공정이 미세화 될수록 증가되는 누설전류를 효과적으로 줄이고 동작속도를 향상시킬 수 있는 최첨단 저전력 로직공정 기술이다.

앞으로 스마트폰, 태블릿 PC등 차세대 모바일 기기 개발에 중요한 역할을 담당할 것으로 전망돼 모바일 기기향 시스템 반도체 공급 기반을 강화할 수 있을 것으로 삼성전자는 기대하고 있다.

삼성전자는 32나노 공정에 '하이-케이 메탈 게이트' 기술을 적용해 기존 45나노 저전력 공정에 비해 누설전력을 55%, 소비전력도 30% 감소시켰다.

이어 ARM(암), Synopsys(시놉시스), Cadence Design System(케이던스 디자인 시스템), Mentor Graphics(멘토 그래픽스) 등 IP, 설계 솔루션 파트너들과 협력을 통해 IP와 설계 프로세스 검증을 성공적으로 완료했다. 삼성전자 파운드리 고객들은 검증된 IP, 설계 솔루션을 제품 개발에 즉시 활용할 수 있게 됐다.

한편 시장조사기관 가트너(Gartner)에 따르면 파운드리 시장은 2009년 200억불에서 2014년 422억불로 연평균 16%씩 성장해, 전체 반도체 시장 성장률 9%를 상회할 것으로 조사됐다.

한경닷컴 권민경 기자 kyung@hankyung.com