삼성전자는 이달부터 세계 최초로 30나노급 2Gb(기가비트) DDR3(Double Data Rate 3) D램 양산을 시작했다고 21일 밝혔다.

지난해 7월 40나노급 제품을 세계 최초로 양산한 데 이어 30나노급 D램도 가장 먼저 대량 생산을 시작,반도체 미세공정 기술을 주도할 수 있게 됐다.

30나노급 DDR3 D램은 40나노급 제품에 비해 생산성을 약 60% 높일 수 있고 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.

데이터 처리 속도도 PC용 제품으로는 최고인 초당 2133메가비트(Mbps)를 지원한다. 기존 DDR3 D램에 비해서는 1.6배，DDR2 D램보다는 약 3.5배 빠른 속도다.

소비 전력도 크게 낮췄다. PC에 4GB 용량의 메모리를 사용할 때 30나노급 제품을 사용하면 시간당 소비전력을 1.73W로 줄일 수 있다. 시장의 주력 제품인 50나노급 D램 기반 모듈(소비전력 4.95W)을 사용할 때와 비교하면 절반 이하 수준이다.

주요 CPU 업체들이 내놓은 30나노급 CPU와 이번에 양산한 메모리를 함께 사용하면 초절전 · 고성능의 '30나노 CPU · D램 컴퓨팅 환경'을 구현할 수 있다는 게 삼성 측의 설명이다.

김태훈 기자 taehun@hankyung.com