일본의 최대 반도체 회사인 엘피다메모리가 회로선폭 30나노미터(㎚ · 1㎚는10억분의 1m) 초반급 최신형 D램을 12월부터 양산할 계획이라고 니혼게이자이신문이 29일 보도했다. 지난 7월부터 30㎚ 중반급 D램을 양산해온 삼성전자와 치열한 각축전을 벌일 것으로 예상된다.

반도체는 회로선폭이 좁아지면 생산성이 올라간다. 엘피다는 30㎚ 전반의 D램을 양산하면 생산 비용을 30% 정도 줄일 수 있을 것으로 기대한다. 이 회사는 미국과 유럽의 PC(개인용 컴퓨터) 수요 감소로 올 연말 D램 가격이 하락할 것으로 보고, 비용 경쟁력을 높이기 위해 30㎚ 전반의 D램 개발을 서둘렀다.

엘피다는 올 연말 히로시마 공장에서 양산을 시작해 내년 말까지는 대만 사업부인 렉스칩일렉트로닉스에서도 같은 종류의 반도체 양산을 개시하기로 했다.

엘피다가 30㎚대의 반도체를 양산하면 업계 경쟁은 더욱 심화될 것으로 예상된다. 그동안 세계에서 40㎚급 아래의 D램을 양산하는 업체는 삼성전자가 유일했다.

도쿄=차병석 특파원 chabs@hankyung.com