삼성전자는 세계 최초로 성능을 50%가량 향상시킬 수 있는 3D-TSV(through siliconvia) 적층 기술을 적용한 8GB(기가바이트) DDR3(double data rate 3) D램 모듈을 개발했다고 7일 발표했다.

3D-TSV 기술은 수십㎛(마이크로미터) 두께의 반도체 칩에 구멍을 뚫어 수직으로 여러 개의 칩을 쌓아 모듈을 만드는 기술로 칩을 쌓은 후 배선으로 묶는 기존 와이어 본딩 방식에 비해 모듈 두께를 줄이고 소비전력을 낮출 수 있는 게 장점이다.

이번에 개발한 제품은 40나노급 2Gb(기가비트) D램을 3D-TSV 기술로 적층한 것으로 서버 업체에 공급해 제품 성능 테스트를 완료했다. 기존 제품보다 2~4배 큰 용량을 구현할 수 있어 서버시스템의 성능을 최소 50% 이상 향상시킬 수 있다. 데이터 처리 속도는 1333Mbps(메가비트)로 기존 대비 70% 빨라졌으며 소비전력도 40% 이상 절감할 수 있다는 게 삼성 측 설명이다.

삼성전자는 또 미국 통신사인 스프린트에 4세대(4G) 이동통신 장비를 공급하기로 했다. 스프린트는 앞으로 5년간 40억~50억달러를 투자해 미국 전역에 4G 네트워크를 구축할 계획이다. 회사 관계자는 "계약상 공급 규모는 밝힐 수 없지만 주요 장비 공급업체 가운데 하나로 선정됐다"며 "미국 대형 통신사의 기간 네트워크 구축에 참여하는 의미가 있다"고 설명했다.

김태훈/안정락 기자 taehun@hankyung.com