하이닉스반도체는 30나노급 기술을 적용한 고용량의 4기가비트 DDR3 D램을 개발했다고 29일 발표했다.

하이닉스가 개발한 30나노급 4기가비트 D램은 대용량 프리미엄 서버와 최고급 개인용 컴퓨터에 필요한 고용량 · 고성능 · 저전력 특성을 만족시킬 수 있는 제품이다. 앞으로 이 제품을 앞세워 프리미엄 서버 시장을 공략할 계획이다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다. 최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현, 기존 1333Mbps 제품에 비해 데이터 처리 속도가 60%가량 빨라졌다. 아울러 1.25V의 초저전압 기술 등을 적용, 40나노급 제품에 비해 전력소모량을 60%가량 줄인 것도 장점이다. 하이닉스는 30나노급 2기가비트 DDR3 D램 개발도 끝내 내년 1분기 양산에 들어간다고 밝혔다. 연구개발제조총괄본부장(CTO)을 맡고 있는 박성욱 부사장은 "하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50%가량을 2기가비트 제품으로 생산하고 있으며 향후 고용량 · 고성능 · 저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

시장조사기관 아이서플라이에 따르면 2기가비트 D램 비중은 올 4분기 현재 30% 수준에서 내년 3분기에는 50%를 넘어설 것으로 전망된다. 아이서플라이는 또 4기가비트 D램 시장은 2011년 말부터 형성되기 시작해 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 내다봤다.

김용준 기자 junyk@hankyung.com