삼성전자는 세계 최초로 DDR4(Double Data Rate 4) D램을 개발했다고 4일 밝혔다.

DDR4 D램은 최근 D램 시장의 주력으로 부상한 DDR3 D램과 비교해 속도가 2배 가량 빠르면서도 동작전압이 낮아 소비전력을 줄일 수 있는 차세대 친환경 D램 규격이다.

삼성전자는 이번에 30나노급 D램으로 데스크톱용 2기가바이트(GB) UDIMM(Unbuffered Dual In-line Memory Module) 제품을 개발했다.

이 회사는 컨트롤러 업체들을 비롯한 서버업체들과 협력해 올해 하반기까지 DDR4 D램 관련 기술을 국제 반도체공학 표준 협의기구(JEDEC)에서 표준화를 완료할 예정이다.

삼성이 개발한 DDR4 D램은 1.2V(볼트)에서 동작하며, 데이터 전송속도는 2.1Gbps로 구현됐다. DDR4 D램을 DDR3 D램과 동일한 데이터 읽기·쓰기 방식을 적용했지만, 효율적인 데이터 처리 구조를 적용해 동작속도를 2배 빠르게 구현했다.

특히, DDR4 D램은 1.35V 또는 1.5V로 동작하는 DDR3 D램보다 낮은 1.2V로 동작하고, 초고속 그래픽 D램에 적용된 저전력 기술을 적용하여 데이터를 읽고 쓰는데 소비되는 전력량을 절반으로 줄였다.

DDR4 D램을 PC에 탑재하면 같은 30나노급 1.5V, DDR3 D램에 비해 성능은 두 배로 높이면서도 소비전력은 약 40% 낮출 수 있다는 설명이다.

전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 사장은 "삼성전자는 차세대 공정의 4Gb(기가비트) DDR4 D램을 앞서 생산해 대용량 D램 시장 성장을 선점해 나가겠다"고 밝혔다.

삼성전자는 DDR4 D램을 2012년 이후 최첨단 차세대 공정으로 양산할 예정이다. 이를 통해 서버시장 뿐 아니라 PC시장에 이르기까지 차세대 '그린메모리'로 고부가가치 D램 시장에서 경쟁력 우위를 지속 유지하는 차별화 전략을 적극 추진해 나갈 계획이다.

한경닷컴 김동훈 기자 dhk@hankyung.com