하이닉스반도체가 일본 도시바와 손잡고 차세대 메모리 반도체를 개발한다.

하이닉스는 도시바와 플래시메모리를 대체할 차세대 메모리 반도체인 'STT-M램'을 공동 개발하고 합작사를 세우는 내용의 협력 계약을 맺었다고 13일 발표했다.

'STT-M램'은 자성(磁性)을 띠는 물질에 전류를 가했을 때 생기는 저항을 이용해 데이터를 저장하는 반도체다. D램과 낸드플래시 메모리가 10나노미터(㎚ · 1㎚는 10억분의 1m) 이상의 미세공정까지 양산할 수 있는 데 비해 STT-M램은 10㎚ 미만의 극미세 공정의 반도체도 만들 수 있다.

하이닉스와 도시바는 2014년 모바일기기와 PC용 STT-M램을 상용화할 계획이다.

이태명 기자 chihiro@hankyung.com