STS반도체는 26일 적층형 USB 메모리 장치 및 그 제조 방법에 관한 특허를 취득했다고 공시했다.

회사 측은 "이번 기술은 적층형 메모리의 크기를 줄이고 고주파 특성을 향상시킬 수 있는 특징이 있다"고 밝혔다.

한경닷컴 정인지 기자 injee@hankyung.com