국내 연구진이 자유자재로 휘는 차세대 메모리 소자의 성능을 두 배 이상 높일 수 있는 기술을 개발했다.

교육과학기술부와 한국연구재단은 박철민 연세대 신소재공학과 교수(사진) 연구팀이 차세대 강유전체(强誘電體) 메모리에 가하는 전압을 조절해 기존 반도체보다 두 배 이상의 정보를 담는 방법을 찾아냈다고 3일 밝혔다.

일반적으로 물체는 외부전기장에 노출되면 내부의 전하가 양·음극으로 나뉘는 전기분극이 일어나는데 강유전체는 외부에서 전기장을 가하지 않아도 자연적으로 전기편극이 생기는 물질이다. 이 같은 특성을 활용해 메모리 소자를 만들면 속도가 빠르면서도 정보가 지워지지 않게 할 수 있어 차세대 반도체 소재로 주목받고 있다.

박 교수팀은 전압의 크기를 변화시켜 강유전체 고분자의 분극을 조절할 수 있다는 사실을 규명하고 이 원리를 이용해 자유롭게 휘는 메모리 소자를 개발했다. 이번 연구성과는 ‘어드밴스드 머티리얼스(Advanced Materials)’ 최신호에 실렸다.

김태훈 기자 taehun@hankyung.com