SK하이닉스가 스마트폰용 모바일 D램의 성능을 한 단계 높일 수 있는 6기가비트(Gb) LPDDR3 칩을 세계 최초로 개발했다고 30일 발표했다.
1바이트는 8비트로 이뤄지는 만큼 6Gb 용량의 칩 4개를 쌓으면 3GB 용량의 모바일 D램을 만들 수 있다. 이는 삼성전자가 지난 7월 세계 최초로 양산에 들어간 4Gb 칩 6개로 만든 3GB 모바일 D램보다 한발 앞선 것이다. 6Gb 칩으로 만든 3GB D램은 4Gb로 이뤄진 제품보다 전력 소모를 줄일 수 있어서다. 저전력·고용량의 특성을 요구하는 모바일 기기에 유리한 셈이다.
이번에 개발한 6Gb 칩에는 20나노미터(1㎚=10억분의 1m)급 공정 기술이 적용됐다. SK하이닉스는 제품을 고객사에 샘플로 공급하기 시작했으며 내년 초 양산에 들어갈 계획이다.
현재 대부분의 스마트폰에는 2GB D램이 탑재되고 있다. 3GB D램은 지난 8월 출시된 갤럭시 노트3에 처음으로 채용됐다. 반도체 업계는 풀HD 화질의 대화면 스마트폰이 늘면서 고성능 그래픽칩이 쓰이고 있는 만큼 1~2년 내로 프리미엄 스마트폰을 중심으로 대부분 3GB D램을 탑재할 것으로 보고 있다.
3GB D램을 쓰게 되면 정보처리량이 많아져 5~7인치대 풀HD 화면에서도 끊김 없이 3차원(3D) 게임 등을 즐길 수 있다.
김현석 기자 realist@hankyung.com