세계 최소라서 '위대한 기술'…SK하이닉스, 16나노 낸드 양산
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SK하이닉스가 세계 최소인 16나노 공정을 적용해 낸드플래시 양산에 들어갔다. 이 회사는 16나노급의 64기가비트(Gb) 멀티 레벨 셀(MLC) 낸드를 세계 최초로 생산 중이라고 20일 발표했다. MLC는 정보를 저장하는 최소 단위인 셀 하나에 한 개의 정보(1비트)를 저장하는 싱글셀(SLC)과 달리 두 개의 정보(2비트)를 저장하는 방식이다.
SK하이닉스는 또 이번에 MLC 방식의 단일칩 기준으로 최대 메모리 용량인 128Gb 낸드 개발을 마치고 내년 초 양산에 나설 계획이다. 일반적으로 공정이 미세해질수록 셀 간 간섭현상이 일어나는데 SK하이닉스는 에어갭 기술로 간섭현상을 극복했다고 밝혔다. 에어갭 기술은 회로와 회로 사이에 절연 물질을 넣지 않고 빈 공간(에어)으로 절연층을 만드는 것을 말한다.
삼성전자는 셀 사이의 간섭현상을 극복하기 위해 셀을 아파트처럼 수직으로 쌓는 3D 낸드를 양산하고 있다. SK하이닉스도 3D 낸드를 개발하고 셀 하나에 세 개(3비트)의 정보를 담는 트리플레벨셀(TLC) 방식의 낸드를 생산할 방침이다.
김진웅 SK하이닉스 플래시테크개발본부장(전무)은 “업계 최소 미세공정인 16나노 기술을 적용해 세계 최초로 64Gb 낸드를 양산한 데 이어 128Gb 낸드까지 개발해 대용량 메모리 라인업을 구축했다”고 말했다. 그는 “다양한 낸드를 만들어 고객 요구에 적극 대응하고 높은 신뢰성과 내구성을 확보할 것”이라고 전했다.
정인설 기자 surisuri@hankyung.com
SK하이닉스는 또 이번에 MLC 방식의 단일칩 기준으로 최대 메모리 용량인 128Gb 낸드 개발을 마치고 내년 초 양산에 나설 계획이다. 일반적으로 공정이 미세해질수록 셀 간 간섭현상이 일어나는데 SK하이닉스는 에어갭 기술로 간섭현상을 극복했다고 밝혔다. 에어갭 기술은 회로와 회로 사이에 절연 물질을 넣지 않고 빈 공간(에어)으로 절연층을 만드는 것을 말한다.
삼성전자는 셀 사이의 간섭현상을 극복하기 위해 셀을 아파트처럼 수직으로 쌓는 3D 낸드를 양산하고 있다. SK하이닉스도 3D 낸드를 개발하고 셀 하나에 세 개(3비트)의 정보를 담는 트리플레벨셀(TLC) 방식의 낸드를 생산할 방침이다.
김진웅 SK하이닉스 플래시테크개발본부장(전무)은 “업계 최소 미세공정인 16나노 기술을 적용해 세계 최초로 64Gb 낸드를 양산한 데 이어 128Gb 낸드까지 개발해 대용량 메모리 라인업을 구축했다”고 말했다. 그는 “다양한 낸드를 만들어 고객 요구에 적극 대응하고 높은 신뢰성과 내구성을 확보할 것”이라고 전했다.
정인설 기자 surisuri@hankyung.com