SK하이닉스, TSV기술 활용한 초고속 D램 개발

HBM을 SoC와 결합한 SiP

SK하이닉스가 반도체칩과 기판을 연결시켜주는 부분을 구리에서 실리콘으로 바꿔 데이터처리속도를 대폭 높이는 데 성공했다.

SK하이닉스는 26일 ‘실리콘관통전극(TSV)’ 기술을 적용해 초고속 메모리(HBM) D램을 개발했다고 발표했다. 이 기술은 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 실리콘 전극을 만들어 전기적 신호를 전달하는 패키지 방식이다. 데이터 처리 성능을 높이면서 크기를 줄일 수 있어 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 쓰일 전망이다.

이 회사가 개발한 HBM D램은 1.2V 동작 전압에서 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 현재 업계의 최고속(28GB) 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르고 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이다.

또 기존 방식(와이어본딩)을 이용할 경우 칩을 많이 쌓기 어렵지만, TSV 기술을 활용하면 칩을 여러 개 쌓아 시스템온칩(SoC)을 만드는 게 쉬워진다. SK하이닉스는 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단으로 쌓았다. 내년 상반기 샘플을 내놓고 하반기께 양산에 들어갈 계획이다.

김현석 기자 realist@hankyung.com