[이달의 산업기술상] 황철성 서울대 산학협력단 교수, 차세대 D램용 전극재료 개발
황철성 서울대 산학협력단 교수(사진)는 양산 가능성이 높은 우수한 ‘차세대 D램 커패시터’를 개발했다. D램은 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 이뤄진다. D램 소자를 집적화하기 위해서는 데이터 저장 역할을 하는 커패시터 기술이 매우 중요하다.

커패시터는 내부에 일정량 이상의 전하 저장 유무로 0 또는 1을 구분하게 해 원하는 소자 동작이 가능하다. 소자를 집적하려면 어느 셀 크기에서나 일정하게 정전 용량을 유지할 필요가 있다. 황 교수는 고유 전율을 갖는 새로운 유전재료, 이에 적합한 새로운 전극재료와 그 제조 방법을 개발했다. 루데늄(Ru)과 오존, 원자층증 증착방법을 이용해 상온에서 불안정한 금홍석 이산화티탄(TiO2) 박막을 세계 최초로 실현해 전극 재료를 개발한 것이다. 이 기술을 적용하면 커패시터의 등가산화막 두께를 획기적으로 개선(4.0Å→3.65Å), D램을 고집적화할 수 있다.