삼성전자는 9일 중국 시안에서 최첨단 플래시메모리 반도체공장 준공식을 열고 제품 양산에 나섰다. 이날 준공 행사에 참석한 러우친젠 중국 산시성 성장(왼쪽부터), 먀오웨이 공업정보화부장(장관), 자오정융 산시성 당서기, 권오현 삼성전자 부회장, 권영세 주중 한국대사, 이규형 삼성경제연구소 고문, 전재원 시안 주재 총영사 등이 기념식을 하고 있다. 삼성전자 제공
삼성전자는 9일 중국 시안에서 최첨단 플래시메모리 반도체공장 준공식을 열고 제품 양산에 나섰다. 이날 준공 행사에 참석한 러우친젠 중국 산시성 성장(왼쪽부터), 먀오웨이 공업정보화부장(장관), 자오정융 산시성 당서기, 권오현 삼성전자 부회장, 권영세 주중 한국대사, 이규형 삼성경제연구소 고문, 전재원 시안 주재 총영사 등이 기념식을 하고 있다. 삼성전자 제공
삼성전자는 중국 산시성(陝西省) 시안에 낸드플래시 메모리 공장을 준공, 본격적인 제품 생산에 들어갔다고 9일 발표했다. 2012년 9월 기공식을 한 뒤 20개월 만으로, 삼성이 휴대폰 등에 쓰이는 최첨단 낸드플래시를 중국에서 생산하는 것은 처음이다.

이날 준공식에는 삼성전자 권오현 부회장과 김기남 메모리사업부 사장, 중국삼성 장원기 사장과 중국에서 먀오웨이 공업정보화부장(장관), 자오정융 산시성 당서기, 러우친젠 산시성 성장 등이 참석했다.

삼성 시안 반도체공장은 삼성전자가 독자 개발한 10나노급 V(수직)낸드플래시를 생산할 계획으로 최대 생산량은 연간 120만장(300㎜ 웨이퍼 기준)이다. 이는 연간 500만장 규모인 중국 수요의 25%에 해당한다. 김기남 사장은 “초기 생산량은 많지 않지만 시장 상황에 따라 늘려나갈 계획”이라며 “완전 가동할 경우 최대 매출은 40억~50억달러에 이를 것”이라고 말했다.

V낸드플래시는 단층으로 셀을 배열한 일반 낸드플래시와는 달리 셀을 3차원 수직으로 쌓은 반도체다. 삼성전자가 지난해 8월 처음 개발했다. 김 사장은 “V낸드플래시 기술은 기존 기술과 완전히 달라 새 공장에서 생산할 수밖에 없다”며 “시안에서 양산에 성공한 뒤 제2, 제3의 공장을 계속 만들어 가겠다”고 전했다.

삼성전자는 시안 반도체공장 가동을 통해 한국-중국-미국을 연결하는 ‘글로벌 반도체 생산 3대 거점체제’를 구축했다. 회사 관계자는 “미국 시스템반도체와 중국 메모리반도체, 그리고 한국에 시스템 및 메모리반도체 생산 체제를 구축함으로써 글로벌 시장에 보다 안정적인 제품 공급이 가능할 것”이라고 말했다.

중국 관영 CCTV는 “삼성의 시안 반도체공장은 단일 프로젝트 사상 최대인 70억달러가 투자됐다는 점 외에도 중국 내수시장을 겨냥한 최첨단 기술 투자라는 점에서 큰 의미가 있다”고 평가했다. 산시성 정부는 삼성전자 공장 건설을 지원하기 위해 인근 고속도로와 공장을 잇는 3.7㎞ 구간의 고속도로를 새로 건설했다.

시안=김태완 특파원/김현석 기자 twkim@hankyung.com