SK하이닉스가 데이터 처리 속도를 네 배 높인 차세대 모바일 D램을 개발하는 데 성공했다.

SK하이닉스는 초당 51.2기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있는 차세대 모바일 D램 ‘와이드 IO2’를 개발했다고 3일 발표했다. 이는 기존 모바일 D램(LPDDR4)에 비해 데이터 처리 속도는 네 배 더 빨라지고 전력 소모량은 25% 절감할 수 있다. SK하이닉스는 내년 하반기 양산에 나설 계획이다.

이번에 개발한 와이드 IO2는 차세대 고성능 모바일 D램의 한 종류다. 20나노급 미세공정을 적용했으며 용량은 8기가비트(Gb)다.

SK하이닉스는 D램의 정보입출구 개수를 크게 늘리는 방식으로 속도를 높였다. 기존 32개의 정보입출구 수를 16배 많은 512개로 늘려 초당 12.8GB인 데이터 처리속도를 초당 51.2GB로 높였다.

SK하이닉스는 현재 주요 시스템온칩(SoC) 업체에 시제품을 공급했다.

정지은 기자 jeong@hankyung.com