삼성, 고화질 그래픽카드용 D램 생산 확대
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이 D램은 1개의 버퍼 칩 위에 8Gb HBM2 D램 칩(20나노 공정 기반) 8개를 쌓은 구조로 설계됐다. 각 칩에 5000개 이상 미세 구멍을 뚫고 4만 개 이상의 ‘TSV(실리콘 관통전극) 접합볼’로 수직 연결한 ‘초고집적 TSV 설계기술’이 적용됐다. 고속 동작 시 반도체칩이 제한된 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 ‘발열 제어기술’도 장착됐다. 4GB HBM2 D램과 크기는 같으면서도 용량과 소비전력 효율은 각각 2배 높였다.
좌동욱 기자 leftking@hankyung.com
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