삼성전자가 세계 최초로 10나노미터(1㎚=10억분의 1m)급 2세대(1y나노) D램 양산에 성공했다. 10나노급 1세대(1x나노) D램보다 생산성을 약 30% 높여 경쟁사들과의 격차를 2년 안팎으로 다시 벌렸다.

삼성전자는 지난달 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램 양산에 성공했다고 20일 발표했다. 지난해 2월 10나노급 1세대 8Gb 양산으로 10나노급 D램 시장을 연 지 21개월 만에 또다시 미세 공정 부문의 기술 혁신을 이뤘다. 삼성은 2세대 10나노급 D램 제품의 생산성이 1세대보다 향상됐다고 밝혔다. 정보처리 속도는 10% 빨라졌고 소비 전력량은 15% 이상 낮아졌다. 크기가 작은데도 성능이 뛰어나 상대적으로 값비싼 서버, 프리미엄 스마트폰, 슈퍼컴퓨터용 D램 등에 주로 쓰일 예정이다.

삼성전자는 올해 25% 수준인 10나노급 D램 생산 비중을 내년에 90% 이상으로 끌어올릴 계획이어서 내년 삼성전자 실적뿐 아니라 글로벌 D램 시장 변화에 큰 영향을 미칠 것으로 전문가들은 예상했다. 진교영 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 “프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전환할 계획”이라며 “이를 통해 D램 제품의 초격차 경쟁력을 더 강화하겠다”고 말했다. 시장조사기관인 D램익스체인지에 따르면 삼성전자의 지난 3분기 기준 D램 세계시장 점유율은 45.8%로 확고한 1위를 지키고 있다. 2위는 SK하이닉스로 28.7%다.

좌동욱 기자 leftking@hankyung.com