'삼성 테크 데이 2018' 개최…세계최초 256GB 3DS RDIMM 등 소개
"평택라인서 V낸드·D램 양산 확대…시장 수요에 적극 대응"

삼성전자는 현지시간 17일 미국 실리콘밸리에 있는 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크 데이(Samsung Tech Day) 2018'을 열고 차세대 반도체 솔루션을 대거 소개했다고 18일 밝혔다.

'삼성@모든 것의 중심'(Samsung＠The Heart of Everything)이라는 슬로건을 내걸고 지난해에 이어 두 번째로 개최된 이날 행사에는 글로벌 IT기업과 미디어 관계자, 애널리스트 등 500여명이 참석했다.

삼성전자는 이 자리에서 세계 최초의 256기가바이트(GB) 3DS RDIMM과 기업용 7.68테라바이트(TB)급 4비트 서버 SSD(솔리드스테이트드라이브), 6세대 V낸드 기술, 2세대 Z-SSD 등을 공개했다.

3DS RDIMM은 실리콘 3D(3차원) 적층 기술을 적용해 고속으로 동작할 수 있게 만든 서버용 D램으로, 기존 제품(128GB RDIMM)보다 용량은 2배로 늘리고 소비전력 효율은 30% 개선했다.

회사 측은 또 빅데이터에 특화된 키밸류 SSD, 인공지능(AI) 머신러닝용 스마트SSD, 고속 네트워크용 SSD와 스토리지를 결합한 NVmEOF SSD 등 새로운 솔루션을 제공할 것이라고 소개했다.

특히 경기도 평택 생산라인에서 V낸드와 D램 양산 규모를 지속적으로 확대해 수요에 적극적으로 대응하겠다는 계획도 내놨다.

파운드리 사업부에서는 극자외선(EUV) 노광 기술을 적용한 파운드리 7나노 공정(7LPP) 개발을 완료하고 생산에 착수했다고 발표했다.

이와 관련, 회사 관계자는 "7LLP 공정은 삼성전자가 EUV 노광 기술을 적용하는 첫번째 파운드리 공정"이라면서 "이번 생산을 시작으로 7나노 공정의 본격적인 상용화는 물론 향후 3나노까지 이어지는 공정 미세화를 선도할 수 있는 기반을 확보했다"고 강조했다.

이날 행사에는 애플 공동창업자인 스티브 워즈니악의 강연과 함께 마이크로소프트(MS), 자이링스, HP엔터프라이즈, 브이엠웨어 등의 주요 전문가들이 참석하는 패널 토론 등도 진행됐다.

삼성전자에서는 미주지역총괄인 최주선 부회장을 비롯해 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, 플래시 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장, 상품기획팀 한진만 전무 등이 참석했다.

최주선 부회장은 개회사에서 "빅데이터 분석과 AI 기술이 본격적으로 확산하면서 차세대 IT 시장도 고객 가치를 높일 수 있도록 혁신적으로 변화하고 있다"며 "글로벌 IT 시장을 선도하는 고객들에게 반도체 시장 발전의 가능성과 차세대 제품을 공개하게 됐다"고 말했다.

삼성전자는 미국, 중국, 한국, 일본에 이어 현지시간 18일 독일 뮌헨에서 유럽 지역의 고객과 파트너를 대상으로 파운드리 포럼을 개최하고 7나노 공정 등 첨단 공정 로드맵을 내놓을 예정이다.
삼성전자, 미국 실리콘밸리서 차세대 반도체 솔루션 공개
/연합뉴스