삼성전자, 저전력 차세대 내장 메모리 'eMRAM' 출하
삼성전자가 적은 전력으로 더 빠른 속도를 구현할 수 있는 차세대 내장 메모리 eMRAM(embedded Magnetic Random Access Memory, 내장형 MRAM)' 솔루션 제품을 출하했다고 6일 밝혔다. 이 제품은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 누설 전류를 줄일 수 있는 '28나노 FD-SOI(완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터)' 공정으로 완성했다.

내장형 메모리는 IoT 기기 등 소형 전자 제품이나 시스템 반도체에서 정조 저장 역할로 주로 사용된다. 플래시를 기반으로 한 eFlash(embedded Flash Memory)가 대표적이다.

하지만 eFlash는 데이터를 기록할 때 먼저 저장돼있던 기존 데이터를 삭제해야 해 속도와 전력효율에서 단점이 있었다. 삼성전자가 신제품을 개발한 배경이다.

삼성전자의 '28나노 FD-SOI eMRAM' 솔루션은 데이터 기록시 삭제 과정이 필요없고, 기존 eFlash보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 비휘발성 특성으로 전원이 꺼져도 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 소모하지 않고, 데이터 기록시 필요한 동작 전압도 낮아 전력 효율이 뛰어나다. 또 eMRAM 솔루션은 구조도 단순해 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어로 구현이 가능하다. 설계 부담을 줄이고 생산비용 또한 낮출 수 있다는 의미다.

삼성전자는 이날 기흥캠퍼스에서 '28나노 FD-SOI 공정 기반 eMRAM' 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 열고 파운드리 기술 리더십을 강화하겠다는 포부를 드러냈다. 삼성전자는 올해 1Gb eMRAM 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 지속 확대해 차별화된 파운드리 경쟁력을 제공한다는 전략이다.

이상현 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 상무는 "신소재 활용에 대한 어려움을 극복하고 차세대 내장형 메모리 솔루션을 선보이게 됐다" 며 "삼성 파운드리의 로직 공정에 eMRAM을 확대 적용해 고객과 시장의 요구에 대응해 나가겠다"고 말했다.

윤진우 한경닷컴 기자 jiinwoo@hankyung.com
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