사진=연합뉴스
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삼성전자SK하이닉스의 지난해 연구개발(R&D) 비용이 역대 최고치를 기록했다. 사상 최고 실적을 기록한 만큼 미래 준비도 소홀히하지 않겠다는 의지를 드러낸 것이다.

2일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 지난해 R&D 비용으로 18조6600억원을 집행했다. 전년(16조8100억원)과 비교해 11%가 증가한 수치다. 10년 전인 2009년(7조5600억원)과 비교하면 2배 이상 늘었다. 지난해 매출(243조7700억원)의 7.65%에 달해 2003년(8.10%) 이후 최고치를 기록했다.

삼성전자는 지난해 차세대 스마트폰용 256기가바이트(GB)급 저장매체 UFS와 차세대 10나노급 8기가비트(Gb) DDR4 D램 양산을 세계 최초로 시작했다. 또 세계 최고 속도의 5세대 V낸드 기반 PC SSD(솔리드스테이트드라이브) 양산도 병행했다.

연구개발에만 그치지 않고 관련 활동을 지적 재산으로 구축했다. 삼성전자가 지난해 국내와 미국에서 획득한 특허는 각각 2055건, 6062건에 달한다.

SK하이닉스는 지난해 2조8950억원을 R&D 비용으로 지출했다. 1년새 16.4% 늘어난 규모다. SK하이닉스는 3년 연속 2조원대 R&D 비용을 지출을 이어가면서 신기록을 경신했다.

다만 매출액 대비 R&D 비용 비중은 7.2%로 전년(8.3%)보다 소폭 떨어졌다. 지난해 역대 최고 실적을 올리면서 비중이 줄어든 것이다.

SK하이닉스는 메모리연구소, 제품개발연구소, 낸드솔루션&미래기술 연구소 등에서 R&D 활동에 주력하고 있다. 지난해 말 기준 반도체 관련 특허와 지식재산권은 1만2786건(특허 1만2588건·상표 198건)으로 집계됐다.

전자업계 관계자는 "반도체 시장이 하락세에 접어들었지만 양사는 선제적인 R&D 비용으로 중장기적인 경쟁력을 확보하고 있다"고 말했다.

윤진우 한경닷컴 기자 jiinwoo@hankyung.com
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