내년 평택에 6세대 V낸드 적용…"차세대 라인업 개발 앞당길 것"
삼성전자는 '6세대 256Gb(기가비트) 3비트 V낸드' 기술을 기반으로 한 PC용 SSD(솔리드스테이드드라이브)의 양산 체제에 세계 최초로 돌입했다고 6일 밝혔다.
100단 이상의 셀을 한 번에 뚫는 단일 공정으로 생산되는 이 제품은 속도와 생산성, 절전 특성을 모두 향상시킨 게 특징이다.
낸드플래시 메모리는 셀을 높이 쌓을수록 용량이 커지는데, 이때 속도를 유지·개선하는 게 관건이다.
'초고속 설계 기술'을 적용해 3비트 V낸드로는 역대 최고 속도(데이터 쓰기 시간 450㎲ 이하·읽기응답 대기시간 45㎲ 이하)를 달성했고, 이전 세대 제품에 비해 10% 이상 성능을 높이면서도 동작 전압을 15% 이상 줄였다고 회사 측은 설명했다.
또 5세대 V낸드보다 공정 수와 칩 크기도 줄여 생산성을 20% 이상 높였다고 덧붙였다.
삼성전자는 "6세대 V낸드를 통해 역대 최고 데이터 전송 속도와 양산성을 동시에 구현함으로써 초고적층 3차원 낸드플래시의 새로운 패러다임을 제시했다"고 자평했다.
피라미드 모양으로 쌓은 3차원 CTF(Charge Trap Flash) 셀을 최상단부터 최하단까지 수직으로 균일하게 뚫는 공정 기술을 적용해 100단 이상의 V낸드를 생산하는 기업은 글로벌 업계에서 삼성전자가 유일하다.
삼성전자는 차세대 플래그십 스마트폰에서 요구하는 초고속·초절전 SSD 생산 기술을 업계 최초로 개발함에 따라 앞으로 글로벌 모바일 시장 선점에 적극적으로 나선다는 계획이다.
특히 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도하는 동시에 자동차 시장까지 3차원 V낸드의 사업 영역을 확장한다는 전략이다.
이에 따라 내년부터 평택 V낸드 전용라인에 6세대 V낸드 기반의 SSD 라인업을 본격적으로 확대하기로 했다.
메모리사업부 솔루션 개발실장인 경계현 부사장은 "초고난도 3차원 메모리 양산 기술 확보로 속도와 전력 효율을 높인 메모리 라인업을 적기에 출시하게 됐다"며 "향후 차세대 라인업의 개발 일정을 더 앞당겨 초고속 초고용량 SSD 시장을 발빠르게 확대할 것"이라고 말했다.
/연합뉴스