이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기 화성사업장을 방문해 직원들을 격려하고 있다. 삼성전자 제공
이재용 삼성전자 부회장이 2일 경기 화성사업장을 방문해 직원들을 격려하고 있다. 삼성전자 제공
이재용 삼성전자 부회장이 새해 업무 첫날인 2일 세계 최초로 시스템반도체 기술을 개발한 현장을 방문했다.

메모리반도체에 이어 시스템반도체에서도 2030년까지 세계 1위가 되겠다는 목표를 강조한 행보라고 삼성 측은 설명했다.

이 부회장은 이날 경기 화성사업장에 있는 반도체연구소를 찾았다. 이 자리에서 삼성전자가 세계 최초로 개발한 3나노 공정기술을 보고받았다. 3나노는 반도체 칩 회로의 선폭이 3나노미터(㎚)라는 의미다. 1나노미터는 10억분의 1m로 사람 머리카락 대비 1만분의 1 굵기다.

3나노 반도체는 작년 4월 삼성이 공정 개발을 끝낸 5나노 제품에 비해 반도체 칩 면적을 35% 이상 줄일 수 있다. 소비전력을 50% 아끼면서 처리 속도는 30% 빠르게 할 수 있는 제품이다. 삼성전자는 올해 5나노 반도체를 양산하고 2022년까지 3나노 반도체를 양산할 것이라고 말해왔다. 업계에서는 7나노 이하인 5나노와 3나노를 미세공정으로 분류한다. 세계 시스템반도체 업체 중 삼성과 TSMC만 7나노 이하 미세공정 개발에 성공했다.

이 부회장은 “과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다”며 “역사는 기다리는 것이 아니라 만들어 가는 것”이라고 말했다. 이어 “잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가달라”고 당부했다. 그는 “우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자”고 독려했다.

이 부회장은 또 반도체 담당인 삼성전자 DS(디바이스솔루션)부문 사장단과 간담회를 열어 차세대 반도체 전략을 논의했다.

정인설 기자 surisuri@hankyung.com